본문 바로가기

전체 글

(13)
SLC/MLC/TLC별 최소 보장 Cycle (1Cycle의 의미, Endurance) Cell에 Program을 했다가 Erase를 1회 진행하면 1Cycle이라고 합니다. (Cycle 을 돌리면 Cell은 견뎌야 하는 상황이므로 Endurance라고도 함) ​ SLC/MLC/TLC 제품별로 최소 보장하는 Cycle이 있습니다. ​ ​ SLC : 최소 50,000번 Program/Erase를 해도 Data 손실이 없음 MLC : 최소 1,500번 Program/Erase를 해도 Data 손실이 없음 eMLC :최소 10,000번 Program/Erase를 해도 Data 손실이 없음 (Enterprise는 기업에서 사용하는 제품을 의미하며 주로 서버임) TLC : 최소 1,000번 Program/Erase를 해도 Data 손실이 없음 ​ ​ ​ ​ 제가 알고 있는 기준으로는 최소 보장 Cy..
Micro SDXC 512GB 브랜드별 Spec 비교 (규격, 속도, 가격 등) Micro SDXC 512GB 브랜드별 Spec 비교해봤습니다. ​ 판매되고 있는 제품들 대부분이 동일한 규격이지만 최대 전송 속도는 차이가 있습니다. ​ 규격은 어느 속도 이상을 보장한다는 의미로 실제 속도를 대변해주지 못하며, 최대 전송 속도 또한 실제 속도를 의미하진 않습니다. ​ 최대 전송 속도는 회사에서 평가 환경을 만들어놓고 테스트한 결과입니다. (회사별로 테스트 환경을 비슷하지 않을까 추측됩니다.) ​ ​ Program과 Erase를 1번 하면 이를 1Cycle이라고 하며, TLC의 경우에는 Cycle을 1,000번까지 보장하고 있습니다. (실제 제품은 1,000회 이상을 보장함) ​ Data가 망가지면 고칠 방법이 없을것같은데 평생 보증하는 회사가 있어서 인터넷을 찾아봤습니다. ​ 아무래도..
Nand Flash 낸드 플래시 읽기/쓰기/지우기 (Read/Program/Erase) 앞서 FN Tunneling에 대해서 말씀드렸습니다. (아래 링크 참고하세요.) https://nand.tistory.com/12 낸드 플래시 Nand Flash 기초 원리 (FN Tunneling) 눈 앞에 장벽이 있다고 생각해보시죠. ​ 제가 반대편으로 공을 넘기고 싶어서 공을 계속 벽에 던집니다. ​ 공을 벽에 던진다고 공이 반대편으로 넘어가진 않죠. ​ 공을 반대로 넘기는 방법은 벽을 넘기는 방법.. nand.tistory.com Nand Flash 낸드 플래시는 3가지 동작으로 구분할수 있습니다. 이 세가지 동작은 Data를 저장하는 Cell에 국한된 이야기이며, 실제 chip은 매우 복잡한 동작을 하고 있습니다. Program (쓰기) : FN Tunneling을 통해 electron(전자)를..
MicroSD(마이크로SD)카드와 비슷하게 생긴 UFS(유에프에스)카드, 왜 이렇게 비싸나? Universal Flash Storage의 약자인 UFS는 MicroSD와 비슷하게 생겼지만 가격이 두배 이상 비쌉니다. ​ 대체 UFS가 뭐길래 이렇게 비싼건지 확인해보도록 하겠습니다. ​ ​ 시중에 판매되고 있는 64GB 용량의 제품을 살펴보면 아래와 같습니다. ​ 삼성 UFS Card 64GB : Read Speed 500MB/s + Write Speed 100MB/s 까지 가능 삼성 MicroSDXC EVO Plus 64GB : Read Speed 100MB/s + Write Speed 60MB/s 까지 가능 ​ UFS가 MicroSDXC 대비해서 Read Speed는 5배가 빠르고 Write Speed는 약1.7배 빠릅니다. ​ 그럼 속도가 왜 빠른걸까요? ​ UFS는 기존 eMMC를 대신해서..
MicroSD(마이크로SD)카드 어떤걸 선택해야할까요? (종류, 속도 등) Micro SD 카드를 구매할때 이해하기 어려운 말들이 잔뜩 쓰여있습니다. ​ 대체 뭘 사야하는지 잘 모르겠어서 이것저것 찾아본 내용을 간단하게 말씀드리겠습니다. ​ Nand Flash를 고르실때 도움이 되면 좋겠습니다. ​ ​ 마트에 가보니 도시바 Nand Flash를 사용하는 Sandisk가 가장 잘보이는 곳에 있고, 삼성전자는 구석에 있는것이 마음에 안좋네요. (제품을 만들때 일본소재를 많이 사용하지만 완제품은 국산꺼 씁시다!) ​ 삼성전자 홈페이지에서 EVO Plus 512GB에 대한 제품 Spec을 확인해봤습니다. . □ 용량 Data를 얼마나 저장할수 있는 양 (대문자 B는 Byte를 의미하며, 소문자 b는 Bit를 의미함) ​ ​ □ 집진타입 제품의 규격을 나타내며 규격별로 용량 / 저장방식..
하이닉스에서 발표한 PUC 구조 소개 (Peri Under Cell 구조) 최근에 하이닉스에서 4D 낸드라고 해서 PUC(Peri Under Cell) 기술을 발표하였습니다. ​ 우선 현재 Nand Flash Chip은 Data를 저장하는 Cell Array / 작동을 위한 회로가 있는 Control Circuit / Data가 입력되거나 출력되는 동작을 하는 Bitline Control Circuit / Word Line으로 전압을 인가해주는 Row Decoder로 나뉘어져 있습니다. (회사마다 부르는 용어가 다르며 Circuit을 Peri라고도 부름) ​ PUC는 Wafer에 Control Circuit(Peri)들을 먼저 만들어 주고 그 위를 평탄화 시킨 후에 Cell Array를 만드는 구조입니다. ​ Data를 저장하는 Cell Array입장에서는 Circuit이 차지..
Conventional Flash / CTF (Charge Trap Flash) Coventional Flash는 Gate를 Poly를 사용하기 때문에 간섭현상이 생깁니다. ​ 간섭현상이란? ​ 왼쪽에 Gate에 전압을 인가 / 오른쪽 Gate에는 전압을 인가하지 않았을 경우 오른쪽 Gate는 영향을 받지 말아야 하지만 Gate와 Gate사이가 너무 가까워져서 인가안된 Gate에 전압이 올라가는 현상입니다. ​ 이런 현상을 하나의 Cell을 기준으로 좌우/위아래/대각선 방향으로 영향을 받습니다. ​ Poly사이에 간섭을 줄이고자 Oxide를 넣었다가 진공상태로도 만들기도 하였으나 한계에 도달하여 Poly Gate를 SiN Gate로 변경한것이 CTF (Charge Trap Flash)입니다. ​ 기존에 SONOS(Si/Oxide/Nitride/Oxide/Si)라는 개념으로 이미 오래..
SLC / MLC / TLC / QLC 약자 및 의미 ​ SLC : Single Level Cell (0/1) MLC : Multi Level Cell (00/01/10/11) TLC : Triple Level Cell (000/001/010/011/100/101/110/111) QLC : Quad Level Cell (0000/0001/0010/0011/..../1110/1111) ​ Data를 저장하는 공간 (Cell)에 전자를 넣고 빼는 작업을 통해서 Vth를 조절할수 있고 그걸 읽음으로써 Data를 판별할수 있습니다. ​ 2006~2008년까지만 해도 Nand Flash는 SLC가 대세였으나 Floating Gate의 한계가 보이기 시작하자 개발된게 MLC입니다. ​ 예를 들면 기존 SLC는 Gate안에 전자를 70개 넣었다고 가정하면, 전자가 70..