Nand Flash (13) 썸네일형 리스트형 SLC/MLC/TLC별 최소 보장 Cycle (1Cycle의 의미, Endurance) Cell에 Program을 했다가 Erase를 1회 진행하면 1Cycle이라고 합니다. (Cycle 을 돌리면 Cell은 견뎌야 하는 상황이므로 Endurance라고도 함) SLC/MLC/TLC 제품별로 최소 보장하는 Cycle이 있습니다. SLC : 최소 50,000번 Program/Erase를 해도 Data 손실이 없음 MLC : 최소 1,500번 Program/Erase를 해도 Data 손실이 없음 eMLC :최소 10,000번 Program/Erase를 해도 Data 손실이 없음 (Enterprise는 기업에서 사용하는 제품을 의미하며 주로 서버임) TLC : 최소 1,000번 Program/Erase를 해도 Data 손실이 없음 제가 알고 있는 기준으로는 최소 보장 Cy.. Micro SDXC 512GB 브랜드별 Spec 비교 (규격, 속도, 가격 등) Micro SDXC 512GB 브랜드별 Spec 비교해봤습니다. 판매되고 있는 제품들 대부분이 동일한 규격이지만 최대 전송 속도는 차이가 있습니다. 규격은 어느 속도 이상을 보장한다는 의미로 실제 속도를 대변해주지 못하며, 최대 전송 속도 또한 실제 속도를 의미하진 않습니다. 최대 전송 속도는 회사에서 평가 환경을 만들어놓고 테스트한 결과입니다. (회사별로 테스트 환경을 비슷하지 않을까 추측됩니다.) Program과 Erase를 1번 하면 이를 1Cycle이라고 하며, TLC의 경우에는 Cycle을 1,000번까지 보장하고 있습니다. (실제 제품은 1,000회 이상을 보장함) Data가 망가지면 고칠 방법이 없을것같은데 평생 보증하는 회사가 있어서 인터넷을 찾아봤습니다. 아무래도.. Nand Flash 낸드 플래시 읽기/쓰기/지우기 (Read/Program/Erase) 앞서 FN Tunneling에 대해서 말씀드렸습니다. (아래 링크 참고하세요.) https://nand.tistory.com/12 낸드 플래시 Nand Flash 기초 원리 (FN Tunneling) 눈 앞에 장벽이 있다고 생각해보시죠. 제가 반대편으로 공을 넘기고 싶어서 공을 계속 벽에 던집니다. 공을 벽에 던진다고 공이 반대편으로 넘어가진 않죠. 공을 반대로 넘기는 방법은 벽을 넘기는 방법.. nand.tistory.com Nand Flash 낸드 플래시는 3가지 동작으로 구분할수 있습니다. 이 세가지 동작은 Data를 저장하는 Cell에 국한된 이야기이며, 실제 chip은 매우 복잡한 동작을 하고 있습니다. Program (쓰기) : FN Tunneling을 통해 electron(전자)를.. MicroSD(마이크로SD)카드와 비슷하게 생긴 UFS(유에프에스)카드, 왜 이렇게 비싸나? Universal Flash Storage의 약자인 UFS는 MicroSD와 비슷하게 생겼지만 가격이 두배 이상 비쌉니다. 대체 UFS가 뭐길래 이렇게 비싼건지 확인해보도록 하겠습니다. 시중에 판매되고 있는 64GB 용량의 제품을 살펴보면 아래와 같습니다. 삼성 UFS Card 64GB : Read Speed 500MB/s + Write Speed 100MB/s 까지 가능 삼성 MicroSDXC EVO Plus 64GB : Read Speed 100MB/s + Write Speed 60MB/s 까지 가능 UFS가 MicroSDXC 대비해서 Read Speed는 5배가 빠르고 Write Speed는 약1.7배 빠릅니다. 그럼 속도가 왜 빠른걸까요? UFS는 기존 eMMC를 대신해서.. MicroSD(마이크로SD)카드 어떤걸 선택해야할까요? (종류, 속도 등) Micro SD 카드를 구매할때 이해하기 어려운 말들이 잔뜩 쓰여있습니다. 대체 뭘 사야하는지 잘 모르겠어서 이것저것 찾아본 내용을 간단하게 말씀드리겠습니다. Nand Flash를 고르실때 도움이 되면 좋겠습니다. 마트에 가보니 도시바 Nand Flash를 사용하는 Sandisk가 가장 잘보이는 곳에 있고, 삼성전자는 구석에 있는것이 마음에 안좋네요. (제품을 만들때 일본소재를 많이 사용하지만 완제품은 국산꺼 씁시다!) 삼성전자 홈페이지에서 EVO Plus 512GB에 대한 제품 Spec을 확인해봤습니다. . □ 용량 Data를 얼마나 저장할수 있는 양 (대문자 B는 Byte를 의미하며, 소문자 b는 Bit를 의미함) □ 집진타입 제품의 규격을 나타내며 규격별로 용량 / 저장방식.. 하이닉스에서 발표한 PUC 구조 소개 (Peri Under Cell 구조) 최근에 하이닉스에서 4D 낸드라고 해서 PUC(Peri Under Cell) 기술을 발표하였습니다. 우선 현재 Nand Flash Chip은 Data를 저장하는 Cell Array / 작동을 위한 회로가 있는 Control Circuit / Data가 입력되거나 출력되는 동작을 하는 Bitline Control Circuit / Word Line으로 전압을 인가해주는 Row Decoder로 나뉘어져 있습니다. (회사마다 부르는 용어가 다르며 Circuit을 Peri라고도 부름) PUC는 Wafer에 Control Circuit(Peri)들을 먼저 만들어 주고 그 위를 평탄화 시킨 후에 Cell Array를 만드는 구조입니다. Data를 저장하는 Cell Array입장에서는 Circuit이 차지.. Conventional Flash / CTF (Charge Trap Flash) Coventional Flash는 Gate를 Poly를 사용하기 때문에 간섭현상이 생깁니다. 간섭현상이란? 왼쪽에 Gate에 전압을 인가 / 오른쪽 Gate에는 전압을 인가하지 않았을 경우 오른쪽 Gate는 영향을 받지 말아야 하지만 Gate와 Gate사이가 너무 가까워져서 인가안된 Gate에 전압이 올라가는 현상입니다. 이런 현상을 하나의 Cell을 기준으로 좌우/위아래/대각선 방향으로 영향을 받습니다. Poly사이에 간섭을 줄이고자 Oxide를 넣었다가 진공상태로도 만들기도 하였으나 한계에 도달하여 Poly Gate를 SiN Gate로 변경한것이 CTF (Charge Trap Flash)입니다. 기존에 SONOS(Si/Oxide/Nitride/Oxide/Si)라는 개념으로 이미 오래.. SLC / MLC / TLC / QLC 약자 및 의미 SLC : Single Level Cell (0/1) MLC : Multi Level Cell (00/01/10/11) TLC : Triple Level Cell (000/001/010/011/100/101/110/111) QLC : Quad Level Cell (0000/0001/0010/0011/..../1110/1111) Data를 저장하는 공간 (Cell)에 전자를 넣고 빼는 작업을 통해서 Vth를 조절할수 있고 그걸 읽음으로써 Data를 판별할수 있습니다. 2006~2008년까지만 해도 Nand Flash는 SLC가 대세였으나 Floating Gate의 한계가 보이기 시작하자 개발된게 MLC입니다. 예를 들면 기존 SLC는 Gate안에 전자를 70개 넣었다고 가정하면, 전자가 70.. 이전 1 2 다음