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반도체

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Micro SDXC 512GB 브랜드별 Spec 비교 (규격, 속도, 가격 등) Micro SDXC 512GB 브랜드별 Spec 비교해봤습니다. ​ 판매되고 있는 제품들 대부분이 동일한 규격이지만 최대 전송 속도는 차이가 있습니다. ​ 규격은 어느 속도 이상을 보장한다는 의미로 실제 속도를 대변해주지 못하며, 최대 전송 속도 또한 실제 속도를 의미하진 않습니다. ​ 최대 전송 속도는 회사에서 평가 환경을 만들어놓고 테스트한 결과입니다. (회사별로 테스트 환경을 비슷하지 않을까 추측됩니다.) ​ ​ Program과 Erase를 1번 하면 이를 1Cycle이라고 하며, TLC의 경우에는 Cycle을 1,000번까지 보장하고 있습니다. (실제 제품은 1,000회 이상을 보장함) ​ Data가 망가지면 고칠 방법이 없을것같은데 평생 보증하는 회사가 있어서 인터넷을 찾아봤습니다. ​ 아무래도..
Nand Flash 낸드 플래시 읽기/쓰기/지우기 (Read/Program/Erase) 앞서 FN Tunneling에 대해서 말씀드렸습니다. (아래 링크 참고하세요.) https://nand.tistory.com/12 낸드 플래시 Nand Flash 기초 원리 (FN Tunneling) 눈 앞에 장벽이 있다고 생각해보시죠. ​ 제가 반대편으로 공을 넘기고 싶어서 공을 계속 벽에 던집니다. ​ 공을 벽에 던진다고 공이 반대편으로 넘어가진 않죠. ​ 공을 반대로 넘기는 방법은 벽을 넘기는 방법.. nand.tistory.com Nand Flash 낸드 플래시는 3가지 동작으로 구분할수 있습니다. 이 세가지 동작은 Data를 저장하는 Cell에 국한된 이야기이며, 실제 chip은 매우 복잡한 동작을 하고 있습니다. Program (쓰기) : FN Tunneling을 통해 electron(전자)를..
MicroSD(마이크로SD)카드와 비슷하게 생긴 UFS(유에프에스)카드, 왜 이렇게 비싸나? Universal Flash Storage의 약자인 UFS는 MicroSD와 비슷하게 생겼지만 가격이 두배 이상 비쌉니다. ​ 대체 UFS가 뭐길래 이렇게 비싼건지 확인해보도록 하겠습니다. ​ ​ 시중에 판매되고 있는 64GB 용량의 제품을 살펴보면 아래와 같습니다. ​ 삼성 UFS Card 64GB : Read Speed 500MB/s + Write Speed 100MB/s 까지 가능 삼성 MicroSDXC EVO Plus 64GB : Read Speed 100MB/s + Write Speed 60MB/s 까지 가능 ​ UFS가 MicroSDXC 대비해서 Read Speed는 5배가 빠르고 Write Speed는 약1.7배 빠릅니다. ​ 그럼 속도가 왜 빠른걸까요? ​ UFS는 기존 eMMC를 대신해서..
하이닉스에서 발표한 PUC 구조 소개 (Peri Under Cell 구조) 최근에 하이닉스에서 4D 낸드라고 해서 PUC(Peri Under Cell) 기술을 발표하였습니다. ​ 우선 현재 Nand Flash Chip은 Data를 저장하는 Cell Array / 작동을 위한 회로가 있는 Control Circuit / Data가 입력되거나 출력되는 동작을 하는 Bitline Control Circuit / Word Line으로 전압을 인가해주는 Row Decoder로 나뉘어져 있습니다. (회사마다 부르는 용어가 다르며 Circuit을 Peri라고도 부름) ​ PUC는 Wafer에 Control Circuit(Peri)들을 먼저 만들어 주고 그 위를 평탄화 시킨 후에 Cell Array를 만드는 구조입니다. ​ Data를 저장하는 Cell Array입장에서는 Circuit이 차지..
Conventional Flash / CTF (Charge Trap Flash) Coventional Flash는 Gate를 Poly를 사용하기 때문에 간섭현상이 생깁니다. ​ 간섭현상이란? ​ 왼쪽에 Gate에 전압을 인가 / 오른쪽 Gate에는 전압을 인가하지 않았을 경우 오른쪽 Gate는 영향을 받지 말아야 하지만 Gate와 Gate사이가 너무 가까워져서 인가안된 Gate에 전압이 올라가는 현상입니다. ​ 이런 현상을 하나의 Cell을 기준으로 좌우/위아래/대각선 방향으로 영향을 받습니다. ​ Poly사이에 간섭을 줄이고자 Oxide를 넣었다가 진공상태로도 만들기도 하였으나 한계에 도달하여 Poly Gate를 SiN Gate로 변경한것이 CTF (Charge Trap Flash)입니다. ​ 기존에 SONOS(Si/Oxide/Nitride/Oxide/Si)라는 개념으로 이미 오래..
SLC / MLC / TLC / QLC 약자 및 의미 ​ SLC : Single Level Cell (0/1) MLC : Multi Level Cell (00/01/10/11) TLC : Triple Level Cell (000/001/010/011/100/101/110/111) QLC : Quad Level Cell (0000/0001/0010/0011/..../1110/1111) ​ Data를 저장하는 공간 (Cell)에 전자를 넣고 빼는 작업을 통해서 Vth를 조절할수 있고 그걸 읽음으로써 Data를 판별할수 있습니다. ​ 2006~2008년까지만 해도 Nand Flash는 SLC가 대세였으나 Floating Gate의 한계가 보이기 시작하자 개발된게 MLC입니다. ​ 예를 들면 기존 SLC는 Gate안에 전자를 70개 넣었다고 가정하면, 전자가 70..
Nand Flash 낸드 플래시의 Vth는 정말 어렵다. (Threshold Voltage- 문턱전압) Nand Flash 낸드 플래시를 배울려면 Vth를 잘 이해해야 합니다. ​ 아마 제 블로그를 방문해주신 분들께서는 알고 계시는 내용이겠지만 간단하게 Mos Tr의 Vth를 알아보고 Nand Flash의 Vth에 대해서 말씀드리도록 하겠습니다. ​ MOS Tr 은 일종의 스위치라고 이해할수 있으며, 스위치를 On/Off 해주기 위한 최소 전압이라고 생각하시면 될것 같습니다. ​ MOS Tr의 상태를 3가지로 나눌수 있는데요 ​ Cut-off (차단영역) = Vgs Linear (선형영역) = Vgs>Vth, Vgd>Vth Saturation (포화영역) = Vgs>Vth, Vgd ​ Vds가 증가해도 Ids는 일정한 Saturation 상태로 만들어서 회로를 구동시킵니다. 출처 : 반도체 공학 (김동명 ..
Nand Flash에서 이야기하는 Coupling Ratio는 무엇인가요? 2D Nand에서는 Coupling Ratio가 무척 중요한 개념이였으나 3D Nand에서는 Coupling Ratio의 중요도가 떨어졌습니다. ​ 2D Nand의 구조를 위에서 아래로 살펴보면 Control Gate - 절연층(ONO) - Floating Gate - 절연측(Tunnel Ox) -Si Sub 순으로 되어 있습니다. ​ FN Tunneling에서 말씀드렸지만 Tunnel Oxide에 전압이 많이 걸릴수록 Tunneling하는 전자의 개수가 증가합니다. ​ 하지만 전압이 가해지는 곳은 Control Gate이고, Control Gate에 가해지는 전압이 어떤 비율로 Tunnel Oxide에 걸리는지가 중요합니다. ​ 즉, Tunnel Oxide에 걸리는 전압을 비율로 계산하는것을 Coupl..