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Nand Flash란?

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Nand Flash 낸드 플래시 읽기/쓰기/지우기 (Read/Program/Erase) 앞서 FN Tunneling에 대해서 말씀드렸습니다. (아래 링크 참고하세요.) https://nand.tistory.com/12 낸드 플래시 Nand Flash 기초 원리 (FN Tunneling) 눈 앞에 장벽이 있다고 생각해보시죠. ​ 제가 반대편으로 공을 넘기고 싶어서 공을 계속 벽에 던집니다. ​ 공을 벽에 던진다고 공이 반대편으로 넘어가진 않죠. ​ 공을 반대로 넘기는 방법은 벽을 넘기는 방법.. nand.tistory.com Nand Flash 낸드 플래시는 3가지 동작으로 구분할수 있습니다. 이 세가지 동작은 Data를 저장하는 Cell에 국한된 이야기이며, 실제 chip은 매우 복잡한 동작을 하고 있습니다. Program (쓰기) : FN Tunneling을 통해 electron(전자)를..
Nand Flash 낸드 플래시의 Vth는 정말 어렵다. (Threshold Voltage- 문턱전압) Nand Flash 낸드 플래시를 배울려면 Vth를 잘 이해해야 합니다. ​ 아마 제 블로그를 방문해주신 분들께서는 알고 계시는 내용이겠지만 간단하게 Mos Tr의 Vth를 알아보고 Nand Flash의 Vth에 대해서 말씀드리도록 하겠습니다. ​ MOS Tr 은 일종의 스위치라고 이해할수 있으며, 스위치를 On/Off 해주기 위한 최소 전압이라고 생각하시면 될것 같습니다. ​ MOS Tr의 상태를 3가지로 나눌수 있는데요 ​ Cut-off (차단영역) = Vgs Linear (선형영역) = Vgs>Vth, Vgd>Vth Saturation (포화영역) = Vgs>Vth, Vgd ​ Vds가 증가해도 Ids는 일정한 Saturation 상태로 만들어서 회로를 구동시킵니다. 출처 : 반도체 공학 (김동명 ..
Nand Flash에서 이야기하는 Coupling Ratio는 무엇인가요? 2D Nand에서는 Coupling Ratio가 무척 중요한 개념이였으나 3D Nand에서는 Coupling Ratio의 중요도가 떨어졌습니다. ​ 2D Nand의 구조를 위에서 아래로 살펴보면 Control Gate - 절연층(ONO) - Floating Gate - 절연측(Tunnel Ox) -Si Sub 순으로 되어 있습니다. ​ FN Tunneling에서 말씀드렸지만 Tunnel Oxide에 전압이 많이 걸릴수록 Tunneling하는 전자의 개수가 증가합니다. ​ 하지만 전압이 가해지는 곳은 Control Gate이고, Control Gate에 가해지는 전압이 어떤 비율로 Tunnel Oxide에 걸리는지가 중요합니다. ​ 즉, Tunnel Oxide에 걸리는 전압을 비율로 계산하는것을 Coupl..
낸드 플래시 Nand Flash 기초 원리 (FN Tunneling) 눈 앞에 장벽이 있다고 생각해보시죠. ​ 제가 반대편으로 공을 넘기고 싶어서 공을 계속 벽에 던집니다. ​ 공을 벽에 던진다고 공이 반대편으로 넘어가진 않죠. ​ 공을 반대로 넘기는 방법은 벽을 넘기는 방법밖에 없습니다. ​ 하지만 전자의 세계에서는 조금 다릅니다. ​ 고전역학에서는 아무리 벽에 공을 던진다고 공이 벽을 뚫고 들어가서 반대편으로 튀어나오지 않습니다. ​ 하지만 양자역학에서는 Oxide라는 절연막을 전자가 통과할수 있고 확률이 존재합니다. ​ Nand Flash 낸드 플래시는 바로 전자가 절연막을 통과할수 있고 그 확률이 있다는것에서 시작하면 그것을 FN Tunneling이라고 합니다. (FN Tunneling : Fowler-Nordheim tunneling - Ralph H. Fowle..
Nand Flash의 이름은 왜 Nand 일까? NAND는 Not AND 아닌가? (낸드플래시 이름 명명 배경) 회로에 관심이 있으신 분들은 논리회로에서 이야기하는 AND/OR/NAND/NOR를 아실겁니다. ​ AND : 2개의 단자에서 모두 1일때 결과가 1이다. OR : 2개의 단자에서 둘중에 하나 이상 1일때 결과가 1이다. NAND (Not AND) : AND 결과값을 모두 반대로 한다. NOR (Not OR) : OR 결과값을 모두 반대로 한다. ​ ​ 처음 Nand Flash 구조를 접했을때, 왜 이름을 Nand Flash라고 붙였는지 이해가 되지 않았으나 학부 과정에서 배운 설계 과정 책에서 그 해답을 찾을수 있었습니다 ​ 일단 CMOS (Complementary metal–oxide–semiconductor)라는걸 간단하게 보고 가시겠습니다. ​ 극단적으로 단순화하면 MOS 트렌지스터는 단순한 ON/..
휘발성 반도체 및 비휘발성 반도체의 구분 메모리는 크게 휘발성과 비휘발성 메모리로 나눌수 있습니다. ​ 다들 아시겠지만 DRAM은 휘발성 메모리의 대표적인 제품이고, Nand Flash는 비휘발성 메모리의 대표적인 제품입니다. ​ 휘발성은 전원이 꺼지면 데이터가 모두 소실되고, 비휘발성은 전원이 꺼져도 데이터가 유지됩니다. ​ 휘발성은 속도 / 비휘발성은 데이터 저장량에 개발을 집중하지만 그 목적을 달성하기 위해서는 소자 자체가 작아져야 한다는 공통점이 있습니다. (DRAM의 속도를 높이기 위해서는 Capacitor 개수가 늘어나야 함) ​ ​ ​ 구분 대표 제품 사라진 제품 Volatile Memory (휘발성 메모리) DRAM SRAM (?) Non-Volatile Memory (비휘발성 메모리) Nand Flash, Nor Flash Ma..