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Nand Flash 용어 설명

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SLC/MLC/TLC별 최소 보장 Cycle (1Cycle의 의미, Endurance) Cell에 Program을 했다가 Erase를 1회 진행하면 1Cycle이라고 합니다. (Cycle 을 돌리면 Cell은 견뎌야 하는 상황이므로 Endurance라고도 함) ​ SLC/MLC/TLC 제품별로 최소 보장하는 Cycle이 있습니다. ​ ​ SLC : 최소 50,000번 Program/Erase를 해도 Data 손실이 없음 MLC : 최소 1,500번 Program/Erase를 해도 Data 손실이 없음 eMLC :최소 10,000번 Program/Erase를 해도 Data 손실이 없음 (Enterprise는 기업에서 사용하는 제품을 의미하며 주로 서버임) TLC : 최소 1,000번 Program/Erase를 해도 Data 손실이 없음 ​ ​ ​ ​ 제가 알고 있는 기준으로는 최소 보장 Cy..
하이닉스에서 발표한 PUC 구조 소개 (Peri Under Cell 구조) 최근에 하이닉스에서 4D 낸드라고 해서 PUC(Peri Under Cell) 기술을 발표하였습니다. ​ 우선 현재 Nand Flash Chip은 Data를 저장하는 Cell Array / 작동을 위한 회로가 있는 Control Circuit / Data가 입력되거나 출력되는 동작을 하는 Bitline Control Circuit / Word Line으로 전압을 인가해주는 Row Decoder로 나뉘어져 있습니다. (회사마다 부르는 용어가 다르며 Circuit을 Peri라고도 부름) ​ PUC는 Wafer에 Control Circuit(Peri)들을 먼저 만들어 주고 그 위를 평탄화 시킨 후에 Cell Array를 만드는 구조입니다. ​ Data를 저장하는 Cell Array입장에서는 Circuit이 차지..
Conventional Flash / CTF (Charge Trap Flash) Coventional Flash는 Gate를 Poly를 사용하기 때문에 간섭현상이 생깁니다. ​ 간섭현상이란? ​ 왼쪽에 Gate에 전압을 인가 / 오른쪽 Gate에는 전압을 인가하지 않았을 경우 오른쪽 Gate는 영향을 받지 말아야 하지만 Gate와 Gate사이가 너무 가까워져서 인가안된 Gate에 전압이 올라가는 현상입니다. ​ 이런 현상을 하나의 Cell을 기준으로 좌우/위아래/대각선 방향으로 영향을 받습니다. ​ Poly사이에 간섭을 줄이고자 Oxide를 넣었다가 진공상태로도 만들기도 하였으나 한계에 도달하여 Poly Gate를 SiN Gate로 변경한것이 CTF (Charge Trap Flash)입니다. ​ 기존에 SONOS(Si/Oxide/Nitride/Oxide/Si)라는 개념으로 이미 오래..
SLC / MLC / TLC / QLC 약자 및 의미 ​ SLC : Single Level Cell (0/1) MLC : Multi Level Cell (00/01/10/11) TLC : Triple Level Cell (000/001/010/011/100/101/110/111) QLC : Quad Level Cell (0000/0001/0010/0011/..../1110/1111) ​ Data를 저장하는 공간 (Cell)에 전자를 넣고 빼는 작업을 통해서 Vth를 조절할수 있고 그걸 읽음으로써 Data를 판별할수 있습니다. ​ 2006~2008년까지만 해도 Nand Flash는 SLC가 대세였으나 Floating Gate의 한계가 보이기 시작하자 개발된게 MLC입니다. ​ 예를 들면 기존 SLC는 Gate안에 전자를 70개 넣었다고 가정하면, 전자가 70..