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Nand Flash란?

Nand Flash 낸드 플래시 읽기/쓰기/지우기 (Read/Program/Erase)

 

앞서 FN Tunneling에 대해서 말씀드렸습니다. (아래 링크 참고하세요.)

 

https://nand.tistory.com/12

 

낸드 플래시 Nand Flash 기초 원리 (FN Tunneling)

눈 앞에 장벽이 있다고 생각해보시죠. ​ 제가 반대편으로 공을 넘기고 싶어서 공을 계속 벽에 던집니다. ​ 공을 벽에 던진다고 공이 반대편으로 넘어가진 않죠. ​ 공을 반대로 넘기는 방법은 벽을 넘기는 방법..

nand.tistory.com

 

 

Nand Flash 낸드 플래시는 3가지 동작으로 구분할수 있습니다.

 

이 세가지 동작은 Data를 저장하는 Cell에 국한된 이야기이며, 실제 chip은 매우 복잡한 동작을 하고 있습니다.

 

Program (쓰기) : FN Tunneling을 통해 electron(전자)를 Floating Gate에 가두는 동작

Erase (지우기) : Program과 반대로 FN Tunneling을 통해 electron(전자)를 Floating Gate에서 빼는 동작

Read (읽기) : Cell이 Program되었는지 Erase되었는지 구분하는 동작

 

 

아래는 Program과 Erase 상황에서의 Band Diagram 입니다.

(현재 3D Nand와 비슷하지만 막질의 종류가 달라 차이가 있음)

 

출처(구글링) : https://ir.nctu.edu.tw/bitstream/11536/80499/5/158405.pdf

 

SiO2는 둑이라고 생각하시면 되고 둑과 둑 사이에 물을 가둬놓은거라고 생각하셔도 될것 같습니다.

 

아래 있는 SiO2보다 위에 있는 SiO2가 더 두꺼운데 이는 전자가 위로는 못빠져 나가게 하기 위함입니다.

 

 

둑에 들어가 있는 전자에 따라서 Vth가 달라집니다.

 

Program된 Cell은 Vth가 0보다 크고, Erase된 Cell은 Vth가 0보다 작습니다.

 

Control Gate에 전압을 가하지 않았을때 Program된 Cell들은 Channel이 형성되지 않고 Erase된 Cell들은 Channel이 형성됩니다.

 

Channel이 형성되면 Current Path가 열려 전압이 다 빠져나가고, Channel이 형성되지 않으면 전압이 빠져 나가지 않습니다.

 

전압이 차있는지 아닌지로 Cell이 Program되었는지 Erase되었는지 알수 있습니다.

 

 

출처(구글링) : http://nfmd.hanyang.ac.kr/korean/files/20091104.pdf

 

※ Vth에 대한 내용은 아래 링크 참고해주세요.

 

https://nand.tistory.com/14

 

Nand Flash 낸드 플래시의 Vth는 정말 어렵다. (Threshold Voltage- 문턱전압)

Nand Flash 낸드 플래시를 배울려면 Vth를 잘 이해해야 합니다. ​ 아마 제 블로그를 방문해주신 분들께서는 알고 계시는 내용이겠지만 간단하게 Mos Tr의 Vth를 알아보고 Nand Flash의 Vth에 대해서 말씀드리도록..

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