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Nand Flash 용어 설명

하이닉스에서 발표한 PUC 구조 소개 (Peri Under Cell 구조)

최근에 하이닉스에서 4D 낸드라고 해서 PUC(Peri Under Cell) 기술을 발표하였습니다.

우선 현재 Nand Flash Chip은 Data를 저장하는 Cell Array / 작동을 위한 회로가 있는 Control Circuit / Data가 입력되거나 출력되는 동작을 하는 Bitline Control Circuit / Word Line으로 전압을 인가해주는 Row Decoder로 나뉘어져 있습니다. (회사마다 부르는 용어가 다르며 Circuit을 Peri라고도 부름)

PUC는 Wafer에 Control Circuit(Peri)들을 먼저 만들어 주고 그 위를 평탄화 시킨 후에 Cell Array를 만드는 구조입니다.

Data를 저장하는 Cell Array입장에서는 Circuit이 차지하는 Chip영역(약 20%)이 넓어지게 되는것이기 때문에 Data용량을 늘릴수도 있는것입니다.

 

출처 : https://gigglehd.com/zbxe/13852295

 

솔직히 말씀드리면 3차원 세상에서 4차원 반도체를 만든다는게 말이 안됩니다만, 마케팅을 잘했다는 생각이 듭니다.

해당 기술은 이미 2015년 IEDM에서 발표(삼성)되었던 내용이며, 위에서 말씀드린대로 Circuit을 만들고 그 뒤에 Data를 저장하는 Cell이 있습니다.

출처(구글링) : https://gigglehd.com/zbxe/newsreport/13792382

 

출처 : 하이닉스 블로그

 

새로운 기술을 개발하는것도 어렵지만 그 기술을 양산하는건 훨씬 어렵습니다.

(천원에 팔수 있는 반도체를 이천원주고 만들수 없기 때문에)

하이닉스가 PUC기술로 양산에 성공한다면(원가경쟁력이 있다면) 이는 높게 평가 받을만한 기술임에는 틀림 없습니다.