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Nand Flash 용어 설명

Conventional Flash / CTF (Charge Trap Flash)

Coventional Flash는 Gate를 Poly를 사용하기 때문에 간섭현상이 생깁니다.

간섭현상이란?

왼쪽에 Gate에 전압을 인가 / 오른쪽 Gate에는 전압을 인가하지 않았을 경우

오른쪽 Gate는 영향을 받지 말아야 하지만 Gate와 Gate사이가 너무 가까워져서 인가안된 Gate에 전압이 올라가는 현상입니다.

이런 현상을 하나의 Cell을 기준으로 좌우/위아래/대각선 방향으로 영향을 받습니다.

Poly사이에 간섭을 줄이고자 Oxide를 넣었다가 진공상태로도 만들기도 하였으나 한계에 도달하여 Poly Gate를 SiN Gate로 변경한것이 CTF (Charge Trap Flash)입니다.

기존에 SONOS(Si/Oxide/Nitride/Oxide/Si)라는 개념으로 이미 오래전부터 연구가 되어 왔었으며, 이를 삼성이 응용하여 연구개발 및 양산에 성공하고 이름을 CTF로 붙인것으로 알고 있습니다.

출처(구글링) : http://sml.ac.kr/sub/sub02_04.php